Рис. 1.21. Полевой транзистор с индуцированным каналом с изолированным затвором (а) и его характеристики (б)
ПТ обладают несколько лучшими показателями, чем биполярные, при колебаниях температуры, имеют одинаковое время при включении и отключении, более высокое сопротивление (особенно МДП-транзистор), но несколько уступают биполярным по быстродействию (в 1,5 ... 2 раза).
СИЛОВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ (IGBT)
Устройство и особенности работы
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistors) - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком. На рис.1 приведено условное обозначение IGBT.
Рис. 1. Условное обозначение IGBT |
Рис. 2. Схема соединения транзисторов в единой структуре IGBT |