Электромеханические приводы и системы - Электромеханические приводы и системы

• 
• 

Подробности

Категория: Электроприводы

Опубликовано 14.07.2011 11:54

Автор: Super User

Просмотров: 3532

Рис. 1.21. Полевой транзистор с индуцированным каналом с изолированным затвором (а) и его характеристики (б)

ПТ обладают несколько лучшими показателями, чем биполярные, при колебаниях температуры, имеют одинаковое время при включении и отключении, более высокое сопротивление (особенно МДП-транзистор), но несколько уступают биполярным по быстродействию (в 1,5 ... 2 раза).

СИЛОВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ (IGBT)

Устройство и особенности работы

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistors) - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком. На рис.1 приведено условное обозначение IGBT.

Рис. 1. Условное обозначение IGBT	Рис. 2. Схема соединения транзисторов в единой структуре IGBT

• < Назад
• Вперёд >