Электромеханические приводы и системы - Страница 17

Электромеханические приводы и системы - Электромеханические приводы и системы

Рис. 1.20. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа; структура (а) и характеристики (б)

Характеристики МДП-транзистора со встроенным каналом (рис. 1.20, б) напоминают ранее рассмотренные для ПТ с р-п-переходом, но если последний мог работать только в режиме обеднения (уменьшения тока стока по мере увеличения отрицательного потенциала на затворе), то МДП-транзистор может работать и в режиме обогащения при положительном потенциале на затворе. При этом сечение канала расширяется за счет электронов, подбираемых в подзатворную область из подложки (неосновные носители), а ток стока растет, что показано на графике. Аналогично работает и МДП-транзистор с каналом типа р, только полярности токов и напряжений обратны рассмотренным.

В ряде электронных схем получили определенное распространение так называемые комплементарные пары, состояние из двух МДП-транзисторов разной проводимости, включенные последовательно. В такой паре сигнал разной полярности, подаваемый одновременно на оба затвора, приводит к увеличению тока в одном и уменьшению его в другом транзисторе, и наоборот.

Помимо рассмотренных выше МДП-транзисторов существуют и транзисторы с индуцированным каналом. Конструктивно они отличаются тем, что при изготовлении прибора канал не формируется, поэтому при отсутствии напряжения на затворе в цепи сток-исток тока нет. Прибор может работать только в режиме обогащения, так, если области истока и стока сформированы из полупроводника типа п, то подачей на затвор положительного потенциала в подзатворной области будут собираться электроны и формировать канал, с тем большей проводимостью, чем выше Uзи. Семейство характеристик такого транзистора приведено на рис. 1.21. Как видно из него, затворная характеристика напоминает переходную характеристику биполярного транзистора, только вместо тока базы фигурирует Uзи.

Go to Top